AT50用に設計したBias-Tに使うLとCを事前に測定しておく。
L
目標は11μH。計算上は、T50-43に5回巻きで11μH程度。
NanoVNAを使って測定する。
6回巻き
余裕を見てまずは6回巻きで。ほどくのは簡単なので。
1MHz以下では概ね17μH。そこからは急速に下がり、50MHz付近では1.5μH。こんな具合に周波数依存が強いので実際に測ってみないとわからない。
5回巻き
1MHz以下で約11μH。計算通り。50MHzでは1μHほど。
C
同じく、NanoVNAで測定。
ものは1kV耐圧のセラミックコンデンサ。いろんな値のものが10個ずつ入っていくらという実験用みたいなのを何年か前に大陸通販で買っておいたもの。その内役立つことがあるだろうと思っていたものがようやく出番を迎えた。
表示は472、つまり、4.7nF。
1MHz以下では4.8nFなので、まぁ、良さそう。しかし周波数が上がるとワイヤのL分が影響して20MHzを超えたあたりで共振を起こしてしまう。目安として「1cmあたり10nH」とか「1インチあたり20nH」と言われているらしい。10nH、4.8nFで共振周波数を計算すると22MHz程度なので、こんな感じになるんだろう。配線の影響を気にしつつ、実際に組んで特性を測ってみることにしよう。
ところが、このC、いくつか測ってみたところ、安物だからかバラツキが激しい。
約4.3nFが二つ。4nFを割っているものが一つ。4nFじゃ定格に対して-15%。ひどすぎる。さすがに気になったのでDE-5000でも測ってみた（@100kHz）が、概ね同じ値だった。ということで、C自体の誤差が大きいということになる。まぁ、4.3nFのものが二つあったので、これを使えばいいか。
重大な問題に気づく
ここまでやって、大きな見落としに気づいた。
設計は入出力のインピーダンスを50Ωとして行った。しかし、接続する相手のインピーダンスがちゃんと合っているという保証がない。というか大きくずれている可能性が大きい。というわけで、入出力インピーダンスを変えた状態で設計・シミュレーションのやり直し。
続く。
コメント