3価の物質
- ホウ酸（B）、アルミニウム（Al）、ガリウム（Ga）、インジウム（In）など
- アクセプタ
- 正孔（ホール）
5価の物質
- リン（P）、ヒ素（As）、アンチモン（Sb）など
- ドナー
- 自由電子
ダイオード
- ガンダイオード: GaAs半導体、高電圧を、高周波発生、ガン効果
- インパットダイオード: 高い逆電圧、電子雪崩（アバランシェ）現象、負性抵抗、マイクロ波発生
- トンネルダイオード: エサキダイオード、高不純物濃度、pn接合、順方向、トンネル効果、負性抵抗
- ツェナーダイオード: pn接合、逆方向、降伏現象
- フォトダイオード（ホトダイオード）: pn接合、逆方向、光エネルギを吸収、電子はn型へ正孔はp型へ移動
トランジスタ
- 遮断周波数: 1/√2（-3dB）
- トランジション周波数: 電流増幅率の絶対値が1
- コレクタ遮断電流: Eを開放し、CB間に逆方向電圧を加えたときにコレクタに流れる電流
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